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概要： 半導(dǎo)體照明的“十一五”863重大項(xiàng)目代表了國(guó)內(nèi)研發(fā)的最高水平，項(xiàng)目實(shí)施以來(lái)，我國(guó)LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已顯現(xiàn)具有自主技術(shù)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，為我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)在一定程度上奠定了基礎(chǔ)。
半導(dǎo)體照明的“十一五”863重大項(xiàng)目代表了國(guó)內(nèi)研發(fā)的最高水平，項(xiàng)目實(shí)施以來(lái)，我國(guó)LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已顯現(xiàn)具有自主技術(shù)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，為我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)在一定程度上奠定了基礎(chǔ)。
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程項(xiàng)目的實(shí)施，對(duì)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體照明行業(yè)的發(fā)展，發(fā)揮了重要作用。
截至到2008年底，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程取得的重大進(jìn)展情況如下：
1、探索性、前沿性材料生長(zhǎng)和器件研究出現(xiàn)部分原創(chuàng)性技術(shù)。
國(guó)內(nèi)已研制出280納米紫外LED器件，20毫安輸出功率達(dá)到毫瓦量級(jí)，處于國(guó)際先進(jìn)水平；
非極性氮化鎵的外延生長(zhǎng)，X射線衍射半峰寬由原來(lái)的780弧秒下降至559弧秒，這一數(shù)值是目前國(guó)際上報(bào)道的最好結(jié)果之一；
首次實(shí)現(xiàn)大面積納米和薄膜型光子晶格LED，20mA室溫連續(xù)驅(qū)動(dòng)小芯片輸出功率由4.3mW提升至8mW；
全磷光型疊層白光OLED發(fā)光效率已達(dá)到45流明/瓦;成功開(kāi)發(fā)出6片型和7片型MOCVD樣機(jī)，正在進(jìn)行工藝驗(yàn)證。
